华虹半导体取得GGNMOS结构及其制作方法专利
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2026-04-03 19:29:29
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司取得一项名为“GGNMOS结构及其制作方法”的专利，授权公告号CN115632050B，申请日期为2022年10月。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2941次，专利信息1981条，此外企业还拥有行政许可117个。
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来源：市场资讯
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