新微半导体申请半导体结构及制备方法专利，缓解HEMT器件的自热效应
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2026-04-07 14:56:51
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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121815705A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，包括：基底包括衬底和依次层叠于衬底上的沟道层和势垒层；帽层位于部分势垒层上；钝化层位于帽层、势垒层上；栅电极贯穿位于帽层上方的钝化层，直至与帽层接触；源电极位于帽层的一侧，源电极贯穿钝化层与势垒层接触；漏电极位于帽层的另一侧，漏电极贯穿钝化层与势垒层接触；相变场板位于帽层与漏电极之间的钝化层上，用于改变帽层周围的电场；其中，在温度小于或等于预设温度的情况下，相变场板的材料属性为绝缘材料，在温度大于预设温度的情况下，相变场板的材料属性为金属材料，从而缓解HEMT器件的自热效应，同时缓解器件因自热效应带来的频率衰减，较大程度上保持器件的频率特性。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目846次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可98个。
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来源：市场资讯
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