国家知识产权局信息显示,株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利,公开号CN121815682A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明公开一种半导体器件。半导体器件包括:相互连接的绝缘栅双极晶体管和快恢复二极管,绝缘栅双极晶体管包括:第一元胞结构和第二元胞结构;与第一元胞结构的栅极连接的第一栅极传输线,与第二元胞结构的栅极连接的第二栅极传输线;与第一元胞结构的结构电阻连接的第一电阻引出线,与第二元胞结构的结构电阻连接的第二电阻引出线;第一栅极传输线通过第一电阻引出线与栅极焊盘连接;第二栅极传输线通过第二电阻引出线与栅极焊盘连接;第一元胞结构的结构电阻的等效值小于第二元胞结构的结构电阻的等效值;第一元胞结构的米勒电容值大于第二元胞结构的米勒电容值,第一元胞结构的饱和电流值小于第二元胞结构的饱和电流值。
天眼查资料显示,株洲中车时代半导体股份有限公司,成立于2019年,位于株洲市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析,株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目3589次,专利信息606条,此外企业还拥有行政许可91个。
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来源:市场资讯
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