长盈通光电申请适配深硅刻蚀光子芯片的无抛磨低损耗耦合光纤阵列专利，有效保护芯片端面完整性_电子百科

长盈通光电申请适配深硅刻蚀光子芯片的无抛磨低损耗耦合光纤阵列专利，有效保护芯片端面完整性

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2026-04-11 13:49:40

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国家知识产权局信息显示，北京长盈通光电技术有限公司申请一项名为“一种适配深硅刻蚀光子芯片的无抛磨低损耗耦合光纤阵列、深硅刻蚀光子芯片耦合组件及方法”的专利，公开号CN121832010A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，一种适配深硅刻蚀光子芯片的无抛磨低损耗耦合光纤阵列、深硅刻蚀光子芯片耦合组件及方法，属于硅光子集成技术领域。该装置包括光纤阵列主体、V型槽基板及异形盖板；所述异形盖板贴合于V型槽基板上表面，并在对应芯片端面深硅刻蚀区域的位置设有避让凹槽，所述避让凹槽的深度不小于芯片端面残留台阶与深沟槽突出结构的总高度，以消除机械干涉；光纤末端定位于V型槽内，其出光端面与芯片端面平行且紧密对接。本发明通过在盖板上集成定制化避让凹槽，无需延长光纤、去除底盖或抛磨芯片端面，即可实现光纤阵列与具有复合三维形貌端面的深硅刻蚀硅光芯片的直接、无损、低损耗耦合，有效保护芯片端面完整性，提升耦合精度与器件良率。

天眼查资料显示，北京长盈通光电技术有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京长盈通光电技术有限公司共对外投资了1家企业，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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