积塔半导体申请沟槽型碳化硅MOSFET器件结构专利，提升器件可靠性
创始人
2026-04-11 22:36:01
0次
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“沟槽型碳化硅MOSFET器件结构”的专利，公开号CN121843195A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构，该器件结构包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上表面的第一掺杂类型的碳化硅外延层；在第一方向上呈阵列排布的第二掺杂类型的沟槽保护区，设置于碳化硅外延层内，且沟槽保护区的顶部在第二方向上是不连续的，第一方向与第二方向相互垂直；在第一方向上呈阵列排布的体区，设置于相邻两个沟槽保护区之间，且体区沿第二方向延伸；在第一方向上呈阵列排布的源区，设置于体区内，但其在第二方向上是不连续的；一个或两个栅沟槽，设置于相邻的两个沟槽保护区之间，栅沟槽贯穿体区，在栅沟槽内设置有栅氧层和多晶硅，多晶硅的上表面低于碳化硅衬底的上表面；层间介质层，沿第二方向延伸；正面金属层。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1976次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1362条，此外企业还拥有行政许可201个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
厦门鑫众通电子取得基于人工智能...
国家知识产权局信息显示，厦门鑫众通电子有限公司取得一项名为“基于人工智能的储能电源管理系统、方法及装...
锐锋焰申请基于多电位域动态解耦...
国家知识产权局信息显示，深圳锐锋焰科技有限公司申请一项名为“一种基于多电位域动态解耦的可重构电池系统...
上海隧道工程申请大功率变频设备...
国家知识产权局信息显示，上海隧道工程有限公司申请一项名为“大功率变频设备配电箱及剩余电流保护装置”的...
山东科汇取得配电网单相接地故障...
国家知识产权局信息显示，山东科汇电力自动化股份有限公司取得一项名为“一种配电网单相接地故障的电压消弧...
光力科技：公司国内半导体业务目...
光力科技：公司国内半导体业务目前处于满产状态 人民财讯6月1日电，光力科技(300480)日前在机构...
泰德半导体取得载台二维码标记设...
国家知识产权局信息显示，深圳泰德半导体装备有限公司取得一项名为“载台二维码标记设备”的专利，授权公告...
上海光通信申请芯片测试限值处理...
国家知识产权局信息显示，上海光通信有限公司申请一项名为“芯片测试限值的处理方法与装置”的专利，公开号...
PCB概念板块短线拉升
PCB概念板块短线拉升， 圣泉集团涨停， 合锻智能、 龙旗科技、 中京电子此前封板， 宏昌电子、 澳...
苏州茗泰科技取得防误触绝缘防护...
国家知识产权局信息显示，苏州茗泰科技有限公司取得一项名为“一种防误触绝缘防护型配电开关控制结构”的专...
平高集团申请模块化LCL滤波器...
国家知识产权局信息显示，平高集团有限公司;西安平高智慧能源有限公司申请一项名为“一种模块化的LCL滤...