积塔半导体申请沟槽型碳化硅MOSFET器件结构专利，提升器件可靠性
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2026-04-11 22:36:01
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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“沟槽型碳化硅MOSFET器件结构”的专利，公开号CN121843195A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构，该器件结构包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上表面的第一掺杂类型的碳化硅外延层；在第一方向上呈阵列排布的第二掺杂类型的沟槽保护区，设置于碳化硅外延层内，且沟槽保护区的顶部在第二方向上是不连续的，第一方向与第二方向相互垂直；在第一方向上呈阵列排布的体区，设置于相邻两个沟槽保护区之间，且体区沿第二方向延伸；在第一方向上呈阵列排布的源区，设置于体区内，但其在第二方向上是不连续的；一个或两个栅沟槽，设置于相邻的两个沟槽保护区之间，栅沟槽贯穿体区，在栅沟槽内设置有栅氧层和多晶硅，多晶硅的上表面低于碳化硅衬底的上表面；层间介质层，沿第二方向延伸；正面金属层。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1976次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1362条，此外企业还拥有行政许可201个。
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来源：市场资讯
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