中电海康申请磁性存储器专利，解决了现有技术中磁性存储器的SOT效率较低、写功耗高的问题
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2026-04-12 05:45:55
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国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司;兰州大学申请一项名为“磁性存储器”的专利，公开号CN121843127A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种磁性存储器，该磁性存储器包括：依次叠置的复合自旋源层、过渡层、间隔层和磁性层，复合自旋源层至少包括多个叠置的交替结构，交替结构包括依次交替叠置的第一金属层和非磁性金属层，第一金属层的材料包括Pt，非磁性金属层的材料包括非磁性金属，过渡层的结构包括非晶体结构。本申请解决了现有技术中磁性存储器的SOT效率较低、写功耗高的问题。
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