国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司申请一项名为“发光二极管以及制作方法”的专利,公开号CN121843303A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本公开提供了一种发光二极管以及制作方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管包括发光结构以及层叠在所述发光结构上的铟锡氧化物薄膜,所述铟锡氧化物薄膜的方阻低于40Ω/□,所述铟锡氧化物薄膜的厚度为30nm‑150nm。本公开可以降低器件功耗,延长器件的工作寿命与可靠性。
天眼查资料显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司,成立于2014年,位于金华市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(浙江)有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目41次,专利信息1034条,此外企业还拥有行政许可42个。
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来源:市场资讯