晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制作方法”
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2025-05-28 05:32:44
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202510148716.4，授权日为2025年5月27日。
专利摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，利用形成隔离结构的研磨过程在隔离结构的顶面形成的凹陷区域，在凹陷区域形成保护层保护隔离结构，利用保护层保护隔离结构刻蚀去除硬掩膜层，避免除硬掩膜层的过程刻蚀到隔离结构导致不同区域的隔离结构出现高度差；本公开在去除硬掩膜层之后在衬底顶面外延形成外延层，外延层与隔离结构之间的衬底共同作为有源区，以使有源区的顶面与隔离结构的顶面平齐，实现对有源区的高度的调节，消除了隔离结构与有源区的台阶高度，有利于提升半导体结构的性能。
今年以来晶合集成新获得专利授权150个，较去年同期增加了7.14%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。
数据来源：天眼查APP
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