新紫光半导体申请全环绕栅极铁电场效应器件及其制备方法专利，提高存储器记忆单元的密度和容量
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2026-05-16 17:32:49
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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“全环绕栅极铁电场效应器件及其制备方法”的专利，公开号CN122054641A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种全环绕栅极铁电场效应器件及其制备方法，该方法通过在衬底上依次沉积第一氧化物层、第一多晶硅层、第一氮化物层、第二氧化物层、第一金属层、第三氧化物层和第二氮化物层形成堆叠结构，并通过第二氮化物层、第三氧化物层、第一金属层、第二氧化物层和第一氮化物层形成通道孔，在通道孔周向的第二氧化物层、第一金属层和第三氧化物层形成环形凹腔，然后在环形凹腔内形成第二金属层、铁电材料层和第四氧化物层，并在通道孔内形成第二多晶硅层，从而在堆叠结构中形成全环绕栅极通道结构。这种垂直全环绕栅极晶体管结构能够减少占用衬底的面积，且能够在垂直方向形成多个晶体管的堆叠，从而提高存储器记忆单元的密度和容量。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息100条。
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来源：市场资讯
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