安信达申请基于孪生技术的3D芯片设计仿真建模方法专利，能够降低芯片退化速率突变风险_电子百科

安信达申请基于孪生技术的3D芯片设计仿真建模方法专利，能够降低芯片退化速率突变风险

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2026-05-27 22:37:32

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国家知识产权局信息显示，深圳市安信达存储技术有限公司申请一项名为“一种基于孪生技术的3D芯片设计仿真建模方法及系统”的专利，公开号CN122088210A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明涉及数字孪生技术领域，公开一种基于孪生技术的3D芯片设计仿真建模方法及系统，方法包括获取物理场仿真数据，通过求解热膨胀矢量场将热应力与热电耦合进行特征融合，得到初步映射关系；根据初步映射关系，进行动态功耗密度的非线性累积效应计算，得到最终累积效应值；根据最终累积效应值，进行互连材料调整，修正指标集；根据修正指标集，通过热流演化路径分析进行偏差量化计算，得到热阻退化偏差阵；根据热阻退化偏差阵，进行帕累托前沿拐点提取，得到平衡配置；根据平衡配置，筛选出满足预设的临界功耗阈值的非支配解簇，得到候选解簇；根据候选解簇，筛选出最优配置，输出最终优化方案。本方法能够降低芯片退化速率突变风险。

天眼查资料显示，深圳市安信达存储技术有限公司，成立于2005年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市安信达存储技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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