金融界2025年5月28日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“磁阻式随机存取存储器”的专利,公开号CN120050942A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明公开一种磁阻式随机存取存储器,其包括第一磁隧穿结(MTJ)结构、依序设置于第一MTJ结构上的第一漏极层、第一通道层、源极层、第二通道层、第二漏极层与第二MTJ结构、字线结构、第一位线结构、第二位线结构以及源极线结构。字线结构至少贯穿第二MTJ结构、第二漏极层、第二通道层、源极层以及第一通道层。第一位线结构与第二MTJ结构电连接。第二位线结构贯穿第二MTJ结构、第二漏极层、第二通道层、源极层、第一通道层以及第一漏极层而与第一MTJ结构电连接。源极线结构贯穿第二MTJ结构、第二漏极层以及第二通道层而与源极层连接。
来源:金融界