杭州三花研究院申请压力传感器芯片及其制造方法专利，高温条件下减少敏感电阻产生的电流部分流入至衬底
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2025-05-28 17:04:25
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，杭州三花研究院有限公司申请一项名为“压力传感器芯片及其制造方法”的专利，公开号CN120043680A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种压力传感器芯片，包括衬底、敏感电阻、引出部和键合部；所述敏感电阻、引出部、键合部均与所述衬底连接，定义垂直于压力传感器芯片的厚度方向为水平方向，沿水平方向，引出部位于键合部的一侧；所述压力传感器芯片包括感压部，压力传感器芯片具有第一腔，感压部至少部分暴露于第一腔；感压部包括隔离层与感压膜；衬底至少部分形成感压膜，隔离层设置于感压膜，敏感电阻至少部分设置于隔离层，隔离层至少部分位于敏感电阻与所述感压膜之间；本申请还公开一种压力传感器芯片的制造方法；本申请在敏感电阻与衬底之间设置隔离层，高温条件下减少敏感电阻产生的电流部分流入至衬底，使芯片在高温环境下具有较好的应用。
天眼查资料显示，杭州三花研究院有限公司，成立于2006年，位于杭州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本23000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州三花研究院有限公司参与招投标项目73次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息858条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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