杭州三花研究院申请压力传感器芯片及其制造方法专利，高温条件下减少敏感电阻产生的电流部分流入至衬底_电子百科

杭州三花研究院申请压力传感器芯片及其制造方法专利，高温条件下减少敏感电阻产生的电流部分流入至衬底

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2025-05-28 17:04:25

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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，杭州三花研究院有限公司申请一项名为“压力传感器芯片及其制造方法”的专利，公开号CN120043680A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，一种压力传感器芯片，包括衬底、敏感电阻、引出部和键合部；所述敏感电阻、引出部、键合部均与所述衬底连接，定义垂直于压力传感器芯片的厚度方向为水平方向，沿水平方向，引出部位于键合部的一侧；所述压力传感器芯片包括感压部，压力传感器芯片具有第一腔，感压部至少部分暴露于第一腔；感压部包括隔离层与感压膜；衬底至少部分形成感压膜，隔离层设置于感压膜，敏感电阻至少部分设置于隔离层，隔离层至少部分位于敏感电阻与所述感压膜之间；本申请还公开一种压力传感器芯片的制造方法；本申请在敏感电阻与衬底之间设置隔离层，高温条件下减少敏感电阻产生的电流部分流入至衬底，使芯片在高温环境下具有较好的应用。

天眼查资料显示，杭州三花研究院有限公司，成立于2006年，位于杭州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本23000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州三花研究院有限公司参与招投标项目73次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息858条，此外企业还拥有行政许可9个。

来源：金融界

感压三花电流电阻芯片产生的压力传感器杭州部分感压膜衬底压力传感器隔离层

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