晋华集成申请半导体存储器件及其制作方法专利，减少电容结构弯曲
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2025-05-28 20:34:05
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体存储器件及其制作方法”的专利，公开号CN120050934A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体存储器件及其制作方法。该器件包括：衬底；多个堆叠结构，位于衬底上，并在垂直方向上彼此隔离，堆叠结构包括半导体层，半导体层包括第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区；位线，沿水平方向延伸，并与第一掺杂区连接；电容结构，包括堆叠设置的下电极和上电极，下电极与第二掺杂区连接；支撑层，围绕下电极设置，并直接接触下电极的侧壁、上表面和下表面。
天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目559次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息930条，此外企业还拥有行政许可73个。
来源：金融界
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