长鑫科技申请解决存储器良率低的存储器及其制作方法专利，提高存储器良率
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2025-05-28 21:03:35
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储器及其制作方法”的专利，公开号CN120050925A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开提供一种存储器及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决存储器良率低的技术问题。该存储器包括：位线、晶体管、电容器、接触结构和支撑结构，多条位线沿第一方向间隔设置，多个晶体管沿第一方向间隔设置且沿第二方向间隔设置，沿第一方向的多个晶体管对应电连接一条位线；电容器与每个晶体管对应电连接，沿第三方向，电容器和位线位于晶体管的两侧；每个接触结构对应连接一条位线；多个支撑结构沿第二方向间隔设置且贯穿多条位线，相邻两个接触结构之间具有至少一个支撑结构，以对多条位线进行支撑，使得相邻两条位线保持间隔，避免位线坍塌而接触，提高存储器制作过程的稳定性，保证存储器的性能，提高存储器的良率。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息365条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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