北方华创申请加热电极制备方法及半导体工艺设备专利，解决相关技术中线宽的负载效应问题
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2025-05-30 09:03:33
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“加热电极制备方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN120076706A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请提供一种加热电极制备方法及半导体工艺设备，该方法包括：刻蚀步，利用图形化掩膜结构，对形成于具有凹槽的绝缘介质层上的金属层进行图形化刻蚀；修整步，去除刻蚀副产物；循环执行刻蚀步和修整步，直至去除金属层未被图形化掩膜结构覆盖的部分，以形成加热电极；其中，凹槽具有在第一方向上相对的两个凹槽侧面，以及凹槽底面；加热电极包括沿第一方向和第二方向间隔排列的多个电极分体，每个电极分体至少叠置于凹槽侧面和凹槽底面；第一方向和第二方向均平行于凹槽底面，且相互垂直。
天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1052次，财产线索方面有商标信息66条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可340个。
来源：金融界
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