华进半导体取得多层高带宽存储器及其制造方法专利
创始人
2025-05-30 12:03:18
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司取得一项名为“一种多层高带宽存储器及其制造方法”的专利，授权公告号CN115394768B，申请日期为2022年09月。

天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46246.82万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目101次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1104条，此外企业还拥有行政许可54个。

来源：金融界

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