京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，实现发光二极管高效制备
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2025-05-15 10:11:43
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金融界 2025 年 5 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号 CN119907382A，申请日期为 2024 年 12 月 。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构、第一电极、第二电极、反射层、第一电极焊盘和第二电极焊盘；外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层、有源层和第二半导体层形成台阶结构，第一电极位于台阶结构的台阶面，第二电极位于第二半导体层表面，反射层覆盖台阶结构以及第一电极和第二电极；反射层具有第一通孔和第二通孔，第一电极焊盘通过第一通孔与第一电极连接，第二电极焊盘通过第二通孔与第二电极连接；第一通孔在第一半导体层的底面上的投影位于第一电极焊盘在第一半导体层的底面上的投影的边缘，第一半导体层的底面为远离有源层的一面。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目85次，专利信息544条，此外企业还拥有行政许可43个。
来源：金融界
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