上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，提高了产品的可靠性
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2025-05-31 11:33:54
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120072747A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。通过在所述半导体基底表面设置第一金属层，所述第一金属层中包括预留孔，在所述第一金属层以及所述预留孔内表面形成介电材料层，去除部分的所述介电材料层以暴露出所述预留孔，去除所述预留孔中的所述介电材料层，在所述介电材料层表面形成第二金属层，填充于所述开口以及所述预留孔并与所述第一金属层相互连接，从而形成金属连接结构。使得生成的所述金属连接结构中的通孔部分的底部嵌于所述第一金属层中，减少了低介电常数材料的热应力变化对所述金属连接结构的影响，进而避免了所述金属连接结构因热应力导致的孔洞，提高了产品的可靠性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1822次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1121条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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