德州仪器申请具有硅化物形成阻挡的集成电路专利，形成具有硅化物形成阻挡的集成电路
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2025-05-31 12:04:54
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有硅化物形成阻挡的集成电路”的专利，公开号CN120072643A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种具有硅化物形成阻挡的集成电路。一种通过如下操作形成集成电路的方法：形成(1004)具有第一硅表面的第一硅主体；形成(1004)具有第二硅表面的第二硅主体；沿着所述第一硅表面且沿着所述第二硅表面形成(1006)第一硅化物阻挡层；以及沿着所述第一硅化物阻挡层形成(1008)第二硅化物阻挡层。所述形成所述第一硅化物阻挡层和所述第二硅化物阻挡层中的每一者包含形成等离子体增强化学气相沉积PECVD层，并将所述PECVD层暴露于稀有气体持续一段持续时间。随后，所述方法移除(1012)所述第二硅化物阻挡层的一部分和所述第一硅化物阻挡层的下伏部分以暴露所述第一硅表面，同时在所述第二硅表面上留下至少所述第一硅化物阻挡层，并使所述第一硅表面硅化(1014)。
来源：金融界
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