中微半导体申请反应腔相关专利 形成的高深宽比结构的形貌良好
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2025-05-31 18:34:02
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“反应腔、高深宽比结构及其形成方法”的专利，公开号CN120072612A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，一种反应腔、高深宽比结构及其形成方法，其中，反应腔包括：下电极，设于所述反应腔内，所述下电极用于支撑基片；至少一个高频射频源，施加到所述下电极，以形成并维持反应腔内的等离子体；至少一个低频射频源，施加到所述下电极；在刻蚀所述基片的过程中，所述低频射频源的射频频率小于等于300kHz；进气装置，用于向所述反应腔内输送刻蚀气体和碳氟气体，所述刻蚀气体包括卤化氢气体和能够产生卤化氢的气体；所述碳氟气体中的碳原子数小于等于3个，所述刻蚀气体与碳氟气体的流量比大于9:1；所述基片的温度小于30°C；利用所述反应腔对所述基片进行刻蚀处理，所述高深宽比的深宽比大于70:1。利用所述反应腔形成的高深宽比结构的形貌良好。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1513条，此外企业还拥有行政许可71个。
来源：金融界
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