金融界2025年4月7日消息,国家知识产权局信息显示,福州英迪格成像技术有限公司取得一项名为“一种双电源供电防MOS过流电路”的专利,授权公告号 CN 222721473 U,申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示,本实用新型提供了一种双电源供电防MOS过流电路,包括第一PMOS单元、第二PMOS单元、第一续流二极管以及第二续流二极管;第一PMOS单元的漏极分别与第一续流二极管的正极以及副电源连接;第一PMOS单元的源极分别与第一续流二极管的负极连接;第二PMOS单元的漏极与第二续流二极管的正极以及主电源连接;第二PMOS单元的源极与第二续流二极管的负极连接;第一PMOS单元的源极、第一续流二极管的负极、第二PMOS单元的源极以及第二续流二极管的负极均用于电源输出。将原本单靠MOS中的体二极管导通电流,优化为通过体二极管与续流二极管起导通电流提升电路的连续通流能力防止MOS管因过流而产生烧毁使电路能够应用于高连续电流的场景。
天眼查资料显示,福州英迪格成像技术有限公司,成立于2016年,位于福州市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币,实缴资本90万人民币。通过天眼查大数据分析,福州英迪格成像技术有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目5次,专利信息40条,此外企业还拥有行政许可6个。
来源:金融界