深圳市宇宏微电子取得一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件专利，可实现对双MOS管器件主体缓冲的效果
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2025-05-15 10:56:24
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金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市宇宏微电子科技有限公司取得一项名为“一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件”的专利，授权公告号 CN 222720404 U，申请日期为 2024年4月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是指一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件，包括固定架，固定架内开设有贯穿槽，贯穿槽内活动设置有双MOS管器件主体；本实用新型通过滑槽、滚轮、弹簧和阻尼缸的配合，可在双MOS管器件主体在使用时因人员手滑而使设备摔落或设备在运输时因振动而与其他物体撞击时使双MOS管器件主体向下滑动，此过程中滚轮会在滑槽内滚动并拉伸弹簧，同时第一导电脚针会带动导电板和导电件在滑腔内跟着滑动，待弹簧将振动力吸收殆尽后，配合阻尼缸可使弹簧缓慢回弹，即可实现对双MOS管器件主体缓冲的效果，既不会使双MOS管器件主体拉拽第二导电脚针，又可对其缓冲，提高了双MOS管器件主体的使用寿命。
天眼查资料显示，深圳市宇宏微电子科技有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1453.5557万人民币，实缴资本966.7647万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市宇宏微电子科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可11个。
来源：金融界
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