海力士申请半导体存储器装置及其制造方法专利，提供一种半导体存储器装置及其制造方法
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2025-06-02 20:01:48
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN120076329A，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本文提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括：多个层间绝缘结构；多个导电层，其与多个层间绝缘结构交替地层叠；多个数据存储图案，其在多个层间绝缘结构和多个导电层交替地层叠的方向上彼此间隔开；以及阻挡绝缘层或阻挡绝缘图案，其插置在各个数据存储图案和对应导电层之间。
来源：金融界
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