新存科技取得原位选通存储器专利，包括衬底存储阵列及散热结构
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2025-06-03 10:04:52
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司取得一项名为“原位选通存储器”的专利，授权公告号CN222939659U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种原位选通存储器，所述原位选通存储器包括：衬底；位于所述衬底上多个存储阵列；所述存储阵列包括多个原位选通单元；至少一个散热结构；所述散热结构包括：与至少一个所述存储阵列的第一侧面相邻的第一散热单元；和/或，与至少一个所述存储阵列的第二侧面相邻的第二散热单元。
来源：金融界
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