众诚达取得一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管专利
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2025-06-03 10:05:12
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，深圳众诚达应用材料股份有限公司取得一项名为“一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管”的专利，授权公告号CN119683970B，申请日期为2025年02月。

来源：金融界

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