浙江创芯申请分栅存储器及其形成方法专利，增强分栅存储器器件驱动能力
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2025-06-03 11:04:21
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“分栅存储器及其形成方法”的专利，公开号CN120076331A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，一种分栅存储器及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的器件区以及逻辑区；在器件区上沉积形成若干相互分立的存储栅；在所述器件区上依次形成金属选择栅材料层和第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光显影，形成具有金属选择栅图案的第一光刻胶层；以具有金属选择栅图案的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属选择栅材料层至暴露出所述器件区表面，形成若干分立的金属选择栅，且所述金属选择栅与所述存储栅邻接。由于金属选择栅表面光滑，能够提高金属选择栅与器件区的衬底内沟道之间的界面质量，减少器件区的衬底内载流子的散射，进而提高载流子迁移率以及沟道电流，从而增强分栅存储器器件的驱动能力，提高分栅存储器的性能。
来源：金融界
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