武汉新芯申请垂直电荷转移成像传感器件及其制作方法专利，降低制作难度_电子百科

武汉新芯申请垂直电荷转移成像传感器件及其制作方法专利，降低制作难度

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2025-06-05 03:03:09

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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“垂直电荷转移成像传感器件及其制作方法”的专利，公开号CN120091641A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种垂直电荷转移成像传感器件及其制作方法。所述垂直电荷转移成像传感器件中，深沟槽隔离介质隔离衬底中的像素区以及公共衬底区，所述像素区与上方的栅极结构构成MOS电容，该MOS电容的衬底端电压从衬底正面一侧施加于公共衬底区，并通过形成于衬底背面的多晶硅层传递至各像素区，可以避免在衬底背面形成金属电极时存在的界面缺陷难控制以及接触电阻大的问题，而且，所述深沟槽隔离介质中，第三隔离介质层从衬底背面一侧覆盖深沟槽电极且顶表面与衬底背面齐平，在像素之间形成有效隔离的同时，可以降低在多晶硅层上形成的其它结构的制作难度以及提高垂直电荷转移成像传感器件的质量和可靠性。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目209次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1752条，此外企业还拥有行政许可105个。

来源：金融界

企业显示成像沟槽降低信息器件隔离武汉专利深沟槽像素区衬底成像传感器件电荷

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