国微三代半导体取得改善超结MOSFET体二极管性能相关专利
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2025-06-06 13:05:34
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市国微三代半导体技术有限公司取得一项名为“一种超结MOSFET器件及制备方法”的专利，授权公告号CN118431288B，申请日期为2024年04月。
天眼查资料显示，深圳市国微三代半导体技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3333.333333万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市国微三代半导体技术有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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