长鑫新桥存储申请存储器制造方法专利，有利于提高存储器的制造良率
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2025-06-07 15:34:55
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫新桥存储技术有限公司申请一项名为“存储器的制造方法”的专利，公开号CN120111884A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种存储器的制造方法，包括：提供晶圆，晶圆上形成有待刻蚀层，晶圆包括多个芯片；在待刻蚀层上形成第一光刻胶膜；对第一光刻胶膜进行第一晶圆边缘曝光处理，第一晶圆边缘曝光处理具有第一曝光宽度；对第一光刻胶膜进行第一曝光处理以及第一显影处理，以形成具有第一图形的第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，对待刻蚀层进行第一图形化处理，并去除第一光刻胶层；在待刻蚀层上形成具有第二图形的第二光刻胶层，第二光刻胶层包括位于晶圆的边缘上的第一光阻保留部；以第二光刻胶层为掩膜，对待刻蚀层进行第二图形化处理，并去除第二光刻胶层以及第一光阻保留部。
天眼查资料显示，长鑫新桥存储技术有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5395371.51069万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫新桥存储技术有限公司参与招投标项目142次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可20个。
来源：金融界
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