杭州芯迈半导体申请功率半导体器件及其制造方法专利，降低功率半导体器件的导通电阻
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2025-06-07 17:05:23
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，杭州芯迈半导体技术有限公司申请一项名为“功率半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120111918A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种功率半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供第一掺杂类型的半导体层；在半导体层中形成第二掺杂类型的体区，第二掺杂类型不同于第一掺杂类型；在半导体层第一表面形成第一掩膜层，第一掩膜层的开口位置对应于输入区在体区中的位置；利用第一掩膜层形成第一掺杂类型的输入区；将第一掩膜层在待形成栅结构区域之外的部分去除，待形成栅结构区域的一侧壁与输入区的目标侧壁对齐；形成第二掩膜层，第二掩膜层覆盖除第一掩膜层覆盖的半导体层第一表面区域之外的其他区域；去除第一掩膜层，形成第二掩膜层的开口位置；以及在第二掩膜层的开口位置处形成栅结构。
天眼查资料显示，杭州芯迈半导体技术有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2707.9992万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州芯迈半导体技术有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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