南亚科技申请半导体结构的形成方法专利，达到良好的图案迁移效应
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2025-06-08 01:05:40
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120109007A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种形成半导体结构的方法。此方法包括以下操作。形成第一硬遮罩叠层在介电层上，其中介电层包括阵列区域。蚀刻第一硬遮罩叠层以形成第二硬遮罩叠层与第一沟槽，第一沟槽沿着第一方向在阵列区域的上方且在第二硬遮罩叠层中延伸。形成第二沟槽在第二硬遮罩叠层中，第二沟槽沿着与第一方向不同的第二方向延伸，其中第一沟槽与第二沟槽相互交叉以形成相交处。蚀刻相交处的正下方的第二硬遮罩叠层与介电层以形成通孔。形成第一着陆垫在通孔中。
来源：金融界
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