半导体元件申请图像传感器电荷引导结构和方法专利,可将电荷引导到金属栅格中
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2025-05-15 16:37:51
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金融界2025年4月8日消息,国家知识产权局信息显示,半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“图像传感器电荷引导结构和方法”的专利,公开号 CN 119767792 A,申请日期为2024年1月。

专利摘要显示,本申请涉及图像传感器电荷引导结构和方法。一种静电荷处理系统,该静电荷处理系统包括光电二极管阵列、耦接到该光电二极管阵列的金属栅格、以及远离该金属栅格延伸的一组金属突出部。该组金属突出部可被构造成将来自静电放电或静电荷中的者的电荷引导到该金属栅格中。

来源:金融界

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