肖特基LSI申请衬底上场效应晶体管与肖特基二极管集成专利，涉及将场效应晶体管和肖特基势垒二极管集成在衬底上形成集成的平面半导体装置
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2025-06-10 13:05:33
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，肖特基LSI公司申请一项名为“衬底上场效应晶体管与肖特基二极管的集成”的专利，公开号CN120130135A，申请日期为2023年09月。

专利摘要显示，本申请涉及将场效应晶体管(FET)和肖特基势垒二极管(SBD)集成在衬底上并形成集成的平面半导体装置。在所述衬底上形成P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和P型SBD。所述P型SBD是通过接合P型半导体和第一阻挡金属而形成。在形成所述SBD的所述P型半导体的第一部分时，同时地建立所述PMOS晶体管的P型沟道的掺杂浓度。在所述衬底上同时地形成所述PMOS晶体管的扩展漏极结构以及所述P型半导体的第二部分。同时地形成所述PMOS晶体管的所述扩展漏极结构以及所述P型SBD的所述P型半导体的所述第一部分和所述第二部分的不同的硅化物接触表面。

来源：金融界

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