阿基米德电子申请IGBT芯片结构及制作方法专利增强芯片散热能力_电子百科

阿基米德电子申请IGBT芯片结构及制作方法专利增强芯片散热能力

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2025-06-11 12:37:12

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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，合肥阿基米德电子科技有限公司申请一项名为“一种IGBT芯片结构及制作方法”的专利，公开号CN120129260A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种IGBT芯片结构及制作方法，属于半导体器件技术领域，包括芯片主体、金刚石层和集电极金属层，金刚石层上刻蚀有中部密集、四周稀疏的多孔二维网络，多孔二维网络的通孔内设置有金属铝，金属铝与芯片主体、集电极金属层连接形成导电路径；本发明通过在芯片主体与集电极金属层之间增加具有多孔二维网络的金刚石层，利用金刚石的高热导率特性增强芯片散热能力。同时利用多孔二维网络的孔隙内金属铝实现背面金属与芯片主体的欧姆接触，满足IGBT芯片应用工况的电气连接需求，此外通过在制作方法中增加的金刚石沉积、刻蚀、改性等流程，与芯片背面工艺的配合，实现IGBT芯片结构的高效制备。

天眼查资料显示，合肥阿基米德电子科技有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥阿基米德电子科技有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可7个。

来源：金融界

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