长鑫科技申请一种半导体器件及其制造方法专利，背栅电极用于调节晶体管的阈值电压
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2025-06-13 09:41:21
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120152266A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述制造方法包括：提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的半导体层和层间绝缘层；形成贯穿所述叠层结构的多个沟道孔；其中，位于相邻所述沟道孔之间的半导体层用于形成背栅电极；对所述沟道孔侧壁暴露出的半导体层进行氧化处理，以形成第一栅介质层；依次形成覆盖所述沟道孔侧壁的沟道层、第二栅介质层和栅电极；其中，所述沟道层、所述第二栅介质层和所述栅电极共同形成晶体管，所述背栅电极用于调节所述晶体管的阈值电压。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息393条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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