金融界 2025 年 5 月 15 日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法和半导体结构”的专利,公开号 CN119993833A,申请日期为 2025 年 4 月。
专利摘要显示,本发明涉及一种半导体结构的制备方法和半导体结构,涉及半导体技术领域,该半导体结构的制备方法,对栅极材料层进行化学机械研磨时,会形成第一负载效应,之后对第一栅极中间层进行预设干法刻蚀以形成栅极,该预设干法刻蚀会产生第二负载效应,由于第一负载效应为在刻蚀图案密度越大时研磨速率越快的效应,而第二负载效应为在刻蚀图案密度越大时研磨速率越慢的效,即第二负载效应与第一负载效应互为反向负载效应,也就是说,第二负载效应对化学机械研磨产生的第一负载效应有反向控制的效果,改善了化学机械研磨产生的第一负载效应。此外,对第一介质材料层进行原子层刻蚀时,由于原子层刻蚀是自限制化学反应,刻蚀更精确,减少了缺陷产生。
天眼查资料显示,合肥晶合集成电路股份有限公司,成立于2015年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析,合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目621次,财产线索方面有商标信息41条,专利信息1134条,此外企业还拥有行政许可16个。
来源:金融界