南亚科技申请具有填充层的半导体元件及其制备方法专利，提供一种半导体元件及其制备方法
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2025-06-13 20:10:25
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有填充层的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号 CN120152360A，申请日期为 2024年03月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极电极，设置于该基底上；一源极区与一漏极区，设置于该基底内且位于该栅极电极的相对两侧上；一隔离层，设置在该基底和该栅极电极上方；多个金属接触件，设置于该栅极电极、该源极区以及该漏极区中；多个导电插塞，设置于该隔离层中并电性耦接至该金属接触件；一接触衬垫，围绕该导电插塞；以及一填充层，设置于该隔离层内。该填充层包含碳氮化硼。
来源：金融界
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