爱思开海力士申请半导体存储器装置专利，提供一种半导体存储器装置
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2025-06-13 21:38:30
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置”的专利，公开号CN120152290A，申请日期为2021年09月。
专利摘要显示，本文提供一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：堆叠体，该堆叠体包括交替堆叠的导电图案和层间绝缘层；穿过堆叠体的下部沟道部分；设置在堆叠体和下部沟道部分之间的存储器层；设置在下部沟道部分上的上部沟道部分；围绕上部沟道部分的侧壁的栅极绝缘层；围绕栅极绝缘层的侧壁的第一栅极图案；接触第一栅极图案的第一部分的分离绝缘图案；以及接触第一栅极图案的第二部分的第二栅极图案。
来源：金融界
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