珂晶达申请基于夹层结构的霍尔传感器及其制备方法专利，增强磁场侦测灵敏度
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2025-06-14 08:36:25
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，苏州珂晶达电子有限公司申请一项名为“一种基于夹层结构的霍尔传感器及其制备方法”的专利，公开号CN120152604A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种基于夹层结构的霍尔传感器及其制备方法。该霍尔传感器包括，P型衬底；夹层掺杂结构；夹层掺杂结构包括沿P型衬底的背面朝向正面依次层叠的第一P型埋层、低掺杂N阱和第二P型埋层；有源层、浅槽隔离层和四个N+接触层，均位于夹层掺杂结构背离P型衬底的背面的一侧；沿P型衬底厚度方向的投影中，第一P型埋层、低掺杂N阱、第二P型埋层和有源层均呈沿第一方向和第二方向交叉的十字型结构，四个N+接触层分布于呈十字型的有源层沿第一方向和第二方向相互背离的两侧，且与有源层之间存在间距。
天眼查资料显示，苏州珂晶达电子有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州珂晶达电子有限公司参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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