广州增芯申请半导体器件结构及其制作方法专利，提高半导体器件结构的正向电流及反向击穿电压_电子百科

广州增芯申请半导体器件结构及其制作方法专利，提高半导体器件结构的正向电流及反向击穿电压

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2025-05-16 00:06:43

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金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其半导体器件结构的制作方法”的专利，公开号CN119997528A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件结构及其半导体器件结构的制作方法，该半导体器件结构中，第一阱区的底部与底部掺杂区相接触成了PN结构，金属硅化物层与第一阱区相接触构成了肖特基结。当该半导体器件结构接入正向电压时，肖特基结与PN结均会导通，使得该半导体器件结构的过流能力提高。当该半导体器件结构接入反向电压时，PN结之间的耗尽层会不断向上扩张，使得第一隔离结构与底部掺杂区之间的电流通道被夹断，从而提高了该半导体器件结构的反向击穿电压。因此，通过在第一阱区下方形成一相接触的底部掺杂区，使得该半导体器件结构的正向电流以及反向击穿电压提高。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本682000万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可167个。

来源：金融界

企业显示电流信息广州肖特基电压结构专利的底部肖特基结器件半导体

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