广州增芯申请半导体器件结构及其制作方法专利，提高半导体器件结构的正向电流及反向击穿电压
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2025-05-16 00:06:43
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金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其半导体器件结构的制作方法”的专利，公开号CN119997528A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件结构及其半导体器件结构的制作方法，该半导体器件结构中，第一阱区的底部与底部掺杂区相接触成了PN结构，金属硅化物层与第一阱区相接触构成了肖特基结。当该半导体器件结构接入正向电压时，肖特基结与PN结均会导通，使得该半导体器件结构的过流能力提高。当该半导体器件结构接入反向电压时，PN结之间的耗尽层会不断向上扩张，使得第一隔离结构与底部掺杂区之间的电流通道被夹断，从而提高了该半导体器件结构的反向击穿电压。因此，通过在第一阱区下方形成一相接触的底部掺杂区，使得该半导体器件结构的正向电流以及反向击穿电压提高。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本682000万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可167个。
来源：金融界
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