浙江大学和浙江创芯集成电路申请基于机器学习分裂栅存储器参数优化方法专利，加速分裂栅存储器的参数优化过程
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2025-06-14 15:38:14
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种基于机器学习的分裂栅存储器参数优化方法”的专利，公开号CN120145964A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于机器学习的分裂栅存储器参数优化方法，首先以分裂栅存储器的设计参数构建参数空间，并采用多维拉丁超立方采样进行初始数据采集，随后进行TCAD仿真以获取电学性能参数。然后，根据输入参数与电学性能之间的相关性，基于相关性优化采样策略，并重新选取参数组合进行TCAD仿真，获取优化后的数据集。接着，对数据进行预处理，划分训练集、验证集和测试集，并构建机器学习模型。最终，通过训练后的模型替代部分TCAD仿真，实现快速预测电学性能，从而加速分裂栅存储器的参数优化过程，提高设计效率和准确性。本发明方法可有效减少所需仿真次数，降低计算资源消耗，为存储器器件设计提供高效优化方案。

来源：金融界

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