英飞凌申请半导体衬底和形成N掺杂III族氮化物接触器的方法专利，提供一种半导体衬底
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2025-06-14 19:38:46
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体衬底和形成N掺杂III族氮化物接触器的方法”的专利，公开号CN120152329A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体衬底和形成N掺杂III族氮化物接触器的方法。在实施例中，提供一种半导体衬底，所述半导体衬底包括：多层III族氮化物衬底，包括第一主表面和能够支持二维电荷气体的至少一个异质结；至少一个接触器，包括从第一主表面延伸到多层III族氮化物衬底中的接触沟槽。接触沟槽被利用n掺杂III族氮化物材料填充以用于形成与二维电荷气体的电气连接。半导体衬底还包括从第一主表面延伸到多层III族氮化物衬底中的至少一个伪沟槽。伪沟槽部分地被利用n掺杂III族氮化物材料填充。伪沟槽具有宽度B，并且接触沟槽具有宽度b，其中B≥1.1b。

来源：金融界

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