杭州芯迈半导体申请沟槽型MOSFET器件结构及其制作方法专利，实现终端区电场电势从高电位到低电位的逐渐过渡
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2025-06-17 08:37:09
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，杭州芯迈半导体技术有限公司申请一项名为“一种沟槽型MOSFET器件结构及其制作方法”的专利，公开号CN120166745A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种沟槽型MOSFET器件结构及其制造方法，本发明的沟槽型MOSFET器件结构包括：半导体层，所述半导体层包括衬底以及位于所述衬底一侧的外延层；元胞沟槽，自上而下，开设于远离所述衬底一侧的所述外延层内部；终端沟槽，自上而下与所述元胞沟槽并列开设于远离所述衬底一侧的所述外延层内部，所述终端沟槽内上下间隔设有源极终端以及终端场板，所述源极终端与所述终端场板之间设有中间介质层。通过调节源极终端的长度以及中间介质层的厚度可以实现终端区电场电势从高电位到低电位的逐渐过渡。
天眼查资料显示，杭州芯迈半导体技术有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2707.9992万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州芯迈半导体技术有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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