格科微申请背照式图像传感器及其电学隔离结构的形成方法专利,有效降低电路之间的串扰
创始人
2025-06-17 09:09:14
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金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,格科微电子(上海)有限公司申请一项名为“一种背照式图像传感器及其电学隔离结构的形成方法”的专利,公开号CN120166783A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本发明提供一种背照式图像传感器,包括:电学隔离结构,其包括从衬底的正面延伸至背面的深沟槽隔离结构和形成于所述衬底的正面的浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构位于所述深沟槽隔离结构上方并与其相连。还提供一种背照式图像传感器的电学隔离结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底具有相对的正面和背面;在所述衬底的正面形成深沟槽隔离结构;在所述深沟槽隔离结构上方形成与其相连的浅沟槽隔离结构;对所述衬底的背面进行减薄至所述深沟槽隔离结构,形成由所述深沟槽隔离结构和所述浅沟槽隔离结构组成的电学隔离结构。

天眼查资料显示,格科微电子(上海)有限公司,成立于2003年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析,格科微电子(上海)有限公司共对外投资了13家企业,参与招投标项目13次,财产线索方面有商标信息69条,专利信息1103条,此外企业还拥有行政许可42个。

来源:金融界

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