南京邮电大学等取得基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路专利
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2025-06-17 17:40:17
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司取得一项名为“一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路”的专利，授权公告号CN118214406B，申请日期为2024年04月。

来源：金融界

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