芯恩（青岛）集成电路取得半导体离子注入设备专利，实现离子注入深度的精准控制
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2025-06-18 21:39:34
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司取得一项名为“半导体离子注入设备”的专利，授权公告号CN222995349U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体离子注入设备，包括承载盘、磁铁及光栅定位件，承载盘用以承载晶圆；磁铁位于承载盘外侧，用以提供磁场；光栅定位件与承载盘连接，用以改变承载盘与磁场间的位置。本实用新型的半导体离子注入设备，通过磁铁的设置可提供磁场，使注入的离子在晶圆内部可受磁场力作用产生自转，减小向下运动的概率，从而控制离子注入深度，实现离子注入深度的精准控制；通过光栅定位件的设置，可实现承载盘与磁场间的高精度及高可靠性位置调节，进而便捷的调节晶圆所受到的磁场影响区域，满足制程需求，扩大应用范围。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目170次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息708条，此外企业还拥有行政许可55个。
来源：金融界
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