京东方华灿光电申请改善转移良率的发光二极管专利，提升发光二极管的转移良率
创始人
2025-05-16 13:04:43
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“改善转移良率的发光二极管及其制备方法和显示面板”的专利，公开号CN119997681A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种改善转移良率的发光二极管及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和包覆层，所述外延层具有相对的第一表面和第二表面，以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧壁，所述第一表面与所述外延层的侧壁的相连处具有凹陷结构；所述包覆层位于所述第二表面、所述外延层的侧壁和所述凹陷结构内，且填充所述凹陷结构。本公开能降低将外延层从衬底上激光剥离的难度，提升发光二极管的转移良率。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目40次，专利信息964条，此外企业还拥有行政许可36个。
来源：金融界
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