上海华力集成电路制造申请 CIS 像素读出结构及制造方法专利，能在缩减组合结构面积的同时降低寄生电阻效应
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2025-05-16 13:34:02
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金融界 2025 年 5 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“CIS 像素读出结构及制造方法”的专利，公开号 CN119997635A，申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种 CIS 像素读出结构，SF 和 SG 采用非对称侧墙结构，可以在 SF 的漏端金属插塞下端到 SF 栅极多晶硅的距离不变的同时，减小 SG 的源端金属插塞下端到 SG 栅极多晶硅的距离，从而减小 SF 的漏端接出点到 SG 的源端接出点的距离，由于 SG 源端不会接工作电压没有漏电的影响，所以既能保持 GIDL 电流，又能降低寄生电阻，在不改变其有效尺寸的情况下，能在缩减 SF 和 SG 组合结构面积的同时降低寄生电阻效应。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2071次，专利信息2295条，此外企业还拥有行政许可342个。
来源：金融界
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