荣芯半导体申请套刻标记结构及套刻误差测量方法专利，减少刻蚀时的负载效应问题
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2025-06-21 18:08:38
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“套刻标记结构及套刻误差测量方法”的专利，公开号CN120178617A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供一种套刻标记结构及套刻误差测量方法，所述套刻标记结构包括前层套刻标记和当层套刻标记，所述前层套刻标记包括多个第一子套刻标记，所述当层套刻标记包括多个第二子套刻标记，多个所述第一子套刻标记构成内部中空的第一方形，多个所述第二子套刻标记构成内部中空的第二方形，所述第一方形包围所述第二方形，且所述第一方形与所述第二方形的中心重合；每个所述第一子套刻标记均包括多个填充有标记材料的沟槽。本发明通过多个沟槽的设置来减少刻蚀时的负载效应问题，增加前层套刻标记位置处的刻蚀深度，从而保证前层套刻标记的完整可识别。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息38条。
来源：金融界
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