上海积塔半导体申请半导体结构及其制造方法专利,有效降低半导体结构的相邻栅极结构之间的寄生电容
创始人
2025-06-21 20:37:48
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金融界2025年6月21日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利,公开号CN120184091A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,本申请涉及一种半导体结构及其制造方法;该半导体结构的制造方法包括:提供衬底;于衬底的一侧形成至少两个栅极结构;至少两个栅极结构沿平行于衬底的第一方向间隔分布;形成覆盖栅极结构及衬底表面的刻蚀停止层;于刻蚀停止层背离衬底的一侧形成层间介质层;至少刻蚀任相邻两个栅极结构之间的层间介质层和刻蚀停止层,以形成接触孔;于接触孔的侧壁形成衬垫层;其中,接触孔的特征尺寸大于刻蚀停止层的形成厚度且小于刻蚀停止层的形成厚度的两倍。

天眼查资料显示,上海积塔半导体有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析,上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目1832次,财产线索方面有商标信息9条,专利信息1184条,此外企业还拥有行政许可192个。

来源:金融界

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